|
標(biāo)簽：
X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)技術(shù)
內(nèi)存可靠性增強(qiáng)
–內(nèi)存容量的增加(最大為32GB)，在單個(gè)DIMM上的內(nèi)存密度的增加(最大為1GB)，以及內(nèi)存子系統(tǒng)速度的提高，使得發(fā)生內(nèi)存多位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)明顯增大，標(biāo)準(zhǔn)的ECC內(nèi)存無(wú)法修正多位內(nèi)存錯(cuò)誤，導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。
X架構(gòu)內(nèi)存子系統(tǒng)特性包括:
–256GB內(nèi)存容量
–ActiveMemory
–高速(DDR)內(nèi)存
–內(nèi)存ProteXion
–Chipkill內(nèi)存
–內(nèi)存鏡像
–熱添加/熱插拔內(nèi)存
–內(nèi)存eX擴(kuò)展技術(shù)(MXT)
|
